外媒再爆猛料, 全球5nm工藝晶片嚴重摻假: 不要相信臺積電三星營銷

相信大家都知道，隨著

臺積電

、

三星

這兩家

晶片

代工巨頭正式對外宣佈了3nm工藝晶片技術以後，究竟臺積電、三星誰能夠領先3nm工藝晶片技術，也成為了全球眾多科技巨頭以及消費者高度關注，但就在臺積電、三星不斷取得晶片製造工藝技術突破後，有外媒正式對外爆出猛料，其中明確提到臺積電、三星這兩家晶片製造工藝水準嚴重參加，不要相信臺積電、三星這兩家科技巨頭在工藝節點方面的營銷遊戲。

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其實最早在2018年，全球手機晶片霸主高通就曾提到：“別太相信晶片代工廠的晶片工藝，他們喜歡將數字弄得小一點，臺積電、三星都有類似的問題。” 隨後在2019年，臺積電高管技術研究副總經理黃漢森也開始承認這個問題，認為：“現在的XXnm其實與電晶體柵極已經不是絕對相關了，工藝節點已經變成了一種營銷遊戲。” 這似乎也表明臺積電間接承認了目前所謂的晶片製造工藝節點存在很大的問題，那麼臺積電、三星作為全球實力最強的兩家晶片代工巨頭，其晶片工藝節點技術究竟如何呢？臺積電、三星的5nm又真正的是5nm麼？

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根據目前業內對晶片工藝的評價方法，最簡單粗暴的就是計算電晶體的溝道長度為目標，晶片製造工藝越先進，溝道長度越短，電晶體密度就越大，而臺灣的電子時報Digitimes在分析三星、臺積電、Intel及IBM四家公司的10nm、7nm、5nm、3nm及2nm晶片工藝密度問題，發現只有Intel不存在水分，其他三家公司都存在很大的水分。

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根據相關的資料顯示，Intel的10nm工藝晶片，其電晶體密度就達到了驚人的1。06億個每平方毫米，比三星、臺積電的7nm晶片的電晶體密度資料還要強，而Intel的7nm晶片的電晶體密度會達到1。8億個每平方毫米，而目前三星的3nm晶片的電晶體密度只有1。7億個，臺積電5nm晶片的電晶體密度也只有1。73億個，可見Intel的7nm工藝技術依舊強於臺積電3nm、三星的5nm工藝晶片。

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根據官方所公佈資料，Intel 5nm晶片電晶體密度更是會達到驚人的3億個每平方毫米，可以說Intel雖然對外公佈晶片工藝明顯落後於臺積電、三星，但在實際的效能引數表現方面，是絕對要強於臺積電、三星，所以大家或許真的不要太在於5nm、3nm工藝，畢竟臺積電、三星這兩家晶片代工巨頭的技術水分較大，無法在各企業的產品之間進行比較，只能夠對同一晶片代工企業的晶片產品進行比較，那就是臺積電自家生產的5nm晶片一定是強於7nm，7nm晶片一定是強於10nm；

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針對臺積電、三星們的這個晶片工藝節點營銷遊戲，也有業內人士指出，這也是因為臺積電、三星在某一項技術上達到了5nm、3nm工藝時，就宣佈達到了5nm甚至是3nm工藝水準，所以臺積電、三星的晶片製造工藝技術摻假才會如此嚴重。

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