再次確認國產光刻機研製成功時, ASML都沒成立

大部分人不瞭解

光刻機

的發展歷程，所以對於光刻機的原理，以及發展到如今，成為制約國產晶片發展的主要障礙，都感覺到迷惑。先來說說光刻機的發展，1978年，美國GCA公司製造了第一臺光刻機，1500nm工藝，之後經過多年的發展，逐步發展到1999年的180nm。

點選載入圖片

這個時期採用的鐳射的光源，都是波長都比較長，有436nm，和365nm，之後開始使用248nm的波長作為光刻機。在2001年後，光刻機市場在193nm光源處，停滯了多年，一直無法突破，沒有辦法在波長下降的同時達到能量的不變。因此經歷了長達20年的研究（1999年就開始研發級紫外線技術，光刻機），終於在2013年成功，並且量產出貨，如今EUV光刻工藝，已經到5nm工藝階段，7nm工藝已經非常成熟。

點選載入圖片

光刻機的原理其實就是鐳射雕刻機，其實就相當於，將放大的一個電路板，根據光照的情況，哪裡沒有遮擋，就會有光投過去，透過一個鏡頭（物鏡）將鐳射投射到下面的晶圓上面，有鐳射照射的地方除去表面的掩膜，蝕刻液就會立刻進行雕刻。

點選載入圖片

從上世紀開始，尼康，佳能，ASML三家就一直把持著光刻機的市場。整個光刻機的市場，就是在光學技術領域的發展中不斷進化，所以不存在所謂的外來世界的技術，只是技術的進步比較快，並且國內錯過了比較好的時期而已。1980年之前，國內其實很早就研發光刻機，1978年上海光學機械廠就已經研製陳宮了JKG-3光刻機，當時ASML還沒有成立，佳能，尼康還是光刻機行業的大佬。那個時候，國內同國外雖然有差距，但是還沒有現在這麼遠。

點選載入圖片

在進入1980年之後，國內也沒有再向之前那樣扶持光刻機的發展，並且受到國際市場產品的衝擊，國內國企當時的成本較高。沒有足夠的下游晶片製造市場購買光刻機，產品就逐步淘汰了。可以說國內曾經丟失了，我們可以留待今天絕地反擊的底牌。