全新的晶片材料誕生，中企有望打破美國矽基晶片的壟斷！

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今天跟大家聊一聊：全新的晶片材料誕生，中企有望打破美國矽基晶片的壟斷！

隨著電子產品的逐漸普及，對於晶片的依賴程度越來越高，不同的產品對應著不同工藝的晶片，目前能夠實現量產的工藝已經來到了5nm，臺積電以及三星都有能力完成代工生產，雖然最為先進的製程工藝都集中在亞洲，但晶片在製造過程中，依然無法擺脫美國的技術。

而目前全球所使用的晶片，都是基於“矽”材料打造的，而矽材料的技術專利掌握在美企手中，這也導致了任何一個國家想要製造晶片，都繞不開美國的技術。而矽材料是從沙子中提煉出來的，純度達到了99.9%以上，最終形成矽片，再經由上千道工序之後才能形成晶片，可見晶片製造的難度。

矽基晶片深受摩爾定律困擾，中企攻克新材料

在矽基晶片達到3nm製程工藝之後，就已經無限接近於摩爾定律極限了，想要進一步突破變得尤為困難，雖然不斷有訊息傳出1nm、2nm晶片技術被攻克，但這也僅僅是一個概念技術，想要真正變成晶片，還需要很高的技術需求。

而尋找可替代“矽基”的新材料，目前也已經成為了主旋律，畢竟攻克技術極限所耗費的時間和精力，是我們不可想象的，那目前究竟有沒有可以替代矽基的新材料出現呢？

目前已經有好訊息傳來了，中企英諾賽科（蘇州）半導體有限公司已經實現了技術突破，在可替代材料“矽基氮化鎵”上已經完成了量產，目前已經建立了生產線，並且完成了對於8英寸矽基氮化鎵晶圓的量產。

在生產線完成建設之後，其可實現100億的年產值，並且年產能將達到78萬片。

能否取代矽基晶片

據悉這是全球第一座“氮化鎵晶片”生產基地，目前中企已經掌握了成熟的技術，將會給今後國產晶片的發展打下堅實的基礎，其實除了氮化鎵晶片之外，此前中科院研發的石墨烯晶片，也有望成為替代矽基晶片的新材料，此前中科院還展示了八英寸的石墨烯晶圓，但由於技術還未成熟，還沒有辦法達到商用的目的。

而此次的氮化鎵晶片就完全不一樣了，目前英諾賽科已經建立起了完整的生產線，已經達到了商用量產的階段，那究竟能否取代矽基晶片，這種材料是否適合用於晶片的製造呢？

根據科研人員透漏，這種新型的材料優勢還是很大的，一旦氮化鎵被用於製造晶片，相比於矽基晶片功率將直接提升900倍，而且還具備散熱快、體積小、損耗低等等優勢，各方面的功能都提升明顯。

只不過這種材料無法透過自然形成，需要依賴於人工進行合成，在這個過程中也是具備很大難度的，因此氮化鎵也被稱之為第三代半導體材料，如果對其進行深入開發發揮其能效的話，氮化鎵取代矽基晶片還是存在很大可能性的。

中國是否有就會逆風翻盤

矽基晶片是由美國在上個世紀60年代研發出來的，因此對於該項技術他們可謂是根深蒂固，想要在矽基晶片上尋求突破，基本上是不可能的，難以繞開他們的技術專利，所以我們只能尋求新材料的突破，而摩爾定律的極限也給足了我們時間。

目前矽基晶片雖然製程工藝還在提升，但其效能提升並不明顯，各大晶片企業想盡了各種辦法，從各個環節入手研發全新的工藝，但所取得的效果也並不明顯，因此在半導體領域關於新材料、新工藝的呼聲也越來越高了。

而中國半導體目前面臨的困境就是“大而不強”，雖然擁有著全球最大的消費市場，但由於產業鏈的不完整，外加上核心技術的缺失，部分技術雖然達到了全球頂尖水平，但依靠目前國內的整體工業水平，並不能把先進的技術很好地利用起來，因此對於我們來說真正的挑戰還在後頭。

而此次中企英諾賽科所攻克的氮化鎵技術，也只是剛剛起步而已，未來我們還有很長的一段路需要走，按照目前的局勢來看，有可能打破美國技術壟斷的，也只有中國的企業，對此你們有什麼看法呢？