造不出高階光刻機？中科院宣佈好訊息，打了誰的臉？

光刻機作為晶片製造的核心裝置，是我國晶片產業走向國產化的關鍵一環。由於荷蘭光刻巨頭ASML受限於老美的出口管制規則，導致我們花高價也買不來，解決問題的唯一途徑就是自己製造。

造不出高階光刻機？

關於光刻機的研發，儘管有中科院等頂尖科研機構的入局，然而，海外對此卻依然持冷嘲熱諷的態度。

ASML在去年10月份就公開表態：

即便給中國圖紙，他們也造不出來

。

臺積電張忠謀也曾表示：全球沒有任何一個國家或者企業能夠建立完整的半導體產業鏈，且還能保持競爭力，

大陸自研光刻機是不明智的，應該專注晶片設計，代工交給臺積電就好

。

不可否認光刻、晶片的破冰有一定的難度，但從市場的角度來看，ASML和臺積電是真的不想看到國產半導體產業的崛起，畢竟它們是各自領域的“老大”，一旦我國實現了技術自主，那麼必然會衝擊到它們的市場地位。

然而，

老美先後四次升級打壓帶來的“卡脖子”之痛，讓我們在光刻研發和晶片自主的問題上已沒有“知難而退”的餘地

。

中科院宣佈好訊息

令人振奮的是，逆流而上的國產光刻領域不斷傳出著破冰的好訊息。

在基礎光刻裝置方面

，上海微電子早已擁有獨立製造90nm光刻裝置的實力，而在更進一步的28nm光刻機方面，於去年末也已完成突破，經過這段時間的沉澱，預計這款新型國產光刻機將在年底正式下線。

在先進光刻裝置方面

，清華大學與德國聯邦技術學院合作，不僅提出並驗證了一種新型粒子加速器“穩態微聚束”的實驗演示，而且還驗證了SSMB的工作機理。“穩態微聚束”可以覆蓋到光刻機所需的EUV波段，大機率可以適用於最先進的EUV光刻機裝置。

而近日，中科院宣佈好訊息，

旗下的上海光學機械研究所破冰了可以適用於EUV光刻裝置的OPC技術

。

傳統晶片之所以即將達到物理極限，是因為矽材料、晶片製造技術以及裝置硬體都已沒有多少提升的餘地。

而此次“光交所”的OPC技術或將實現摩爾定律的延續

。

據悉，OPC技術可以在硬體不變的條件下最佳化光刻裝置的照明度，從而提升光刻機的解析度，讓製造出來的晶片有更高的工藝精度。

打了誰的臉？

現在看來，國產光刻裝置破冰的難點不在於技術，而在於那超過10萬個的精密零件，不過對於我國這個全球最大的製造市場來說，這10萬個零件又能有多難，真正“卡脖子”的或許十分之一都不到。

北大林毅夫教授表示：

三年之內，我們就能突破EUV光刻裝置

。TCL創始人李東生更是表態：

我國突破高階晶片只需要五年時間

。

隨著國產高階光刻裝置研發的不斷推進，林毅夫和李東生的預測或將都一一應驗。

至於妄圖透過晶片斷供來遏制我國高科技發展的老美、潑冷水的ASML以及規勸我們專注晶片設計的臺積電，最終面臨的只能被“打臉”。