繼IBM首發2nm晶片後，臺積電宣佈1nm晶片成果，華為的方向選對了

很多人擔心，晶片的精密度越來越高，而晶片的材質採用半導體的材質，再加上漏極、源極之間的充放電傳輸訊號，功耗、漏電、電量過載等問題，導致有一天積體電路不再適應於摩爾定律？因為從7nm晶片開始，其實晶片的迭代速度已經開始減緩。1nm是否是晶片工藝的極限，2nm晶片什麼時候可以量產？接下來我們來看一下晶片行業的新發展。

第一、IBM研發出2nm晶片

其實IBM研發出來2nm晶片，不要覺得奇怪， 其實早在2017年IBM就研發出來了5nm的晶片，是跟三星合作採用EUV工藝，是首次把晶片常用的堆疊式架構改造為了水平式架構，給高精密晶片的量產打下了良好的技術基礎。但是為什麼一提到晶片，大家想到的都是三星、高通、臺積電、華為等晶片消費研發/生產公司。那是因為面向消費者的機會比較多，IBM其實在人工智慧，伺服器積體電路架構上，都有很強的技術實力。

而IBM也由於多年的積累，打造了全球數一數二的晶片實驗室，而研發晶片技術架構，並形成技術專利，透過技術授權的方式是IBM常用的手法，當然僅技術授權的盈利，對IBM來說只是“小頭”，真正的利潤來自於標準的制定，例如5nm晶片的材質規格、介面、架構堆疊的空間，都是由IBM以及與其一同研發的公司說了算。而這對於整個產業鏈都能帶來不菲的利潤，要不然為什麼美國能夠限制荷蘭的ASML？有一部分原因是，組成ASML光刻機的零件，大多數來自於美國以及美國標準。

所以，IBM研發出來2nm晶片是在情理之中，當然能否量產？什麼時候量產，還是未知數，但是實驗成功之後的下一站，IBM會將重心放在1nm晶片，甚至1nm以下的晶片。

第二、不甘示弱的臺積電

要知道，臺積電才是全球晶片技術能力的代表，實驗產出和量產是完全不同的概念。那麼臺積電什麼時候可以實現2nm？甚至1nm晶片生產呢？臺積電給出了答案：根據臺積電在2021年5月份的技術報告中顯示，臺積電找到了一種矽半導體的替代材質：鉍，鉍是一種半金屬，相對於矽來說，鉍的導電性更好，電阻也更小，無論是所需要的功率，還是單位承載資料量都大量的提升了。

臺積電表示，鉍材質將改寫矽半導體的工藝設計，臺積電在報告中指出：未來臺積電的技術研發仍然分為兩個方向，第一個方向就是繼續矽材質的3nm量產技術，預計投入超過1000億，預計量產時間是2022年。第二個方向就是鉍材質的晶片工藝，而報告中指出，臺積電對於1nm晶片的研發已經取得了較大突破，甚至經過技術推導，未來晶片可以實現1nm以下的工藝突破。

第三、華為的方向選對了

其實沒有了新的晶片提供，華為確實受到了一定的限制，然而到底是放棄高階晶片的消費市場？還是繼續不斷談判，奢望臺積電、三星等能夠給華為提供5nm晶片呢？其實兩者都不是，華為並沒有停止對於高精密晶片的研發，早在2020年，海思半導體就對光晶片的研發釋出了兩份白皮書，相對於矽晶片，光晶片的資料傳輸上的損耗更低、傳輸所需要的功率也更少，同時資料承載量也更大。

甚至10nm的工藝， 能夠承載5nm才有的資料量和計算量。可以確定的是，矽材質的晶片工藝，在1nm已經是極限了，想要再度突破，只能尋找替代材質或者光晶片，當然是希望華為研發的方向，能有個好的成果。