中科大: 光子晶片獲突破, 美提議共享技術
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現如今,國際對於中國科技的發展看法已經發生了巨大轉變。我國已經在絕大領域完成了從被動前行變為主動出擊,從生產者到創新者的轉變。這種轉變大家也都看在心裡。
而現在
無論是哪種電子產品,最重要的核心就是晶片技術
。這個問題也困擾了我國多年。不過隨著科技的發展,我國已經解決了大部分晶片製造方面的問題,但在晶片研發方面依舊有大片的空白需要填補。
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在這中間,最大的阻礙無疑就是老美的制裁。從中國開始研發晶片開始,老美就將監視的目光投向了國內。不過,我國5G還是走向了國際舞臺,這相當於在打老美的臉,面對如此“羞辱”,老美只能將目光投向了中國的晶片發展。
伴隨著老美的制裁,
中國已然出現了“缺芯”的問題
。不僅僅是華為手機需要晶片,晶片更是直接決定了汽車,醫療等等,影響了整個國家發展的各項高新技術產業。
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前有巨石擋路,後有阻塞的河道。如果想要解決問題那麼只有另闢蹊徑。目前
中科大
有了
光量子晶片研發的巨大突破
,這將
成為中國在晶片方面實現超車的突破點
。
其實我國的科研團隊在更早前,就已經開始對光量子晶片技術進行研究了。從2018年上海交通大學以
金賢敏
團隊為主要研究團隊,研發出國內第一個光量子晶片以來,我國每年都會在光量子晶片方面產生大的突破。
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而今年中科大以
郭光燦
帶領下的研究團隊,就
發表有關於我國光量子晶片實現新一階層的突破論文
,該論文表示我國已經可以做到基於光子能與霍爾效應,在相關拓撲絕緣體晶片中實現
量子干涉
。
這項突破是連老美始料未及的,畢竟這一技術如果可以大範圍投入到晶片研發中,那
我國將不再受到光刻機的限制
。
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而之前就是因為我國在光刻機生產研發方面的薄弱,才讓老美有機可乘。現在這一技術的突破,讓光量子晶片直接不深陷於光刻機等方面的限制。甚至相比較於光刻機,
光量子晶片技術所受到的限制更小
。這要歸結於兩者的晶片生產方式。
如今的晶片製造已然突破了
5nm大關
,但是5nm技術並不是所有的晶片製造廠商具備,世界市場上具備這一技術的只有三星和臺積電這兩家晶片製造大廠。這也直接導致5nm市場的壟斷,而這兩個製造商明顯被老美拉攏,
臺積電甚至決定在老美建立工廠
,這一點無非是對我國百害而無一利的。
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可是光刻機也有自己的侷限性,如果想要提高晶片的整體效能,那就必須將晶片的製造過程縮短。但是光刻機帶來的技術有更大的物理侷限性,無論是7nm還是5nm,終究不能夠和物理單位的量子相比。可是
光刻機最大限度只能在奈米這一範圍內縮減
,如果光刻機和積體電路達到了自己的極限,那無論是晶片研發還是生產都會陷入無法突破的瓶頸期。
可是
光量子晶片
卻不一樣,單從量子理論中,量子就是最小的能量範圍。而
光量子晶片就是透過以光為載體
,再透過微納工藝研製晶片。這樣的技術是國內甚至可以說是世界晶片研製方面的重大突破。
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也就是說光刻機如果達到一定的極限,那時它可能就會被淘汰。到時候光量子晶片將成為直接取代光刻機。
但是隨著光量子技術在我國晶片上的巨大突破,這讓許多國家開始對我國科技發展程度的認知有了很大的轉變。但有些國家卻想要獲取這項技術的核心。
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最明顯的就是老美了,從國內光量子晶片出現突破開始,
老美就一直將目光放在我國,並想要我國公開這項技術分享這一技術
。似乎完全忘記了它為了防止中國的晶片發展而實行的制裁。當然這種因為發生在老美的身上似乎並不是什麼不常見的事情,可能自己也沒有意識到自己的行為有多麼的荒唐。當然我國肯定是不會同意的。
雖然現在我國在光量子已經有了很大成就,但是
距離投入大規模晶片生產還有一段距離
,但相信在不久之後,我國能憑藉光量子晶片技術站在世界晶片領域的前沿,擺脫困境。
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中科大:光子晶片獲突破,美提議共享技術
好訊息!中科大突破光子晶片難題,美居然提共享技術
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