ACS AMI: 具有可控烷基間隔長度的單組分有機太陽能電池活性層材料

圖1：相關分子結構與合成路線2.簡介基於以上的問題，近日，韓國高麗大學Han Young Woo教授等人研究團隊透過改變烷基鏈間隔長度，設計併合成了兩種不同的A–D–A型單組分活性層材料，即BDTRh–C2–PC61BA和BDTRh–C10...

標籤：BDTRhPC61BA單組分OSCs器件

日期：2021-09-25閱讀全文

段春暉團隊EES: 新型有機太陽能電池聚合物給體，高批次間重複性

導語：研究人員基於新的3-氰基噻吩（CT），進一步設計併合成了一種新型聚合物給體：PBCT-2F，並將其應用到有機太陽能電池（OSCs）器件之中，最終獲得高達17...

標籤：聚合物給體2FPBCT器件

日期：2021-09-25閱讀全文

侯劍輝團隊Nat Commun.: 效率15.2%，新型非稠環受體又創紀錄！

導語：研究人員基於新的雙噻吩基單元TT-Pi，進一步設計併合成了一種新型非稠環受體分子：A4T-16，並將其應用到OPV器件之中，最終獲得高達15...

標籤：A4T16非稠環器件分子

日期：2021-09-24閱讀全文

侯劍輝&張茂傑AM: 效率19.6%！串聯有機光伏電池創新紀錄！

圖2：相關器件的光伏效能研究結果顯示，對於結構為ITO/ZnO/PBDB-TF：ITCC=1：1100 nm/ICL/PBDB-TF：BTP-eC11=1：2300 nm/MoOx/Ag的最佳化串聯電池，可以實現高達19...

標籤：電池串聯器件PCEPBDB

日期：2021-09-24閱讀全文

王濤團隊AEM: 冷老化和溶劑蒸汽處理控制有機太陽能電池聚集體形態

簡介與先前在室溫至100°C以上溫度範圍內調節聚集行為的工作不同，近日，武漢理工大學王濤教授研究團隊創新性地引入了低溫（低於室溫）老化誘導聚集方法，透過調節聚合物給體PM6在溶液中的預聚集狀態，進一步改善其與四種不同NFAs（Y6-BO、N...

標籤：聚集PM6OSCs器件聚合物

日期：2021-09-23閱讀全文

Nat. Commun.: 固有使用壽命超過30年的非富勒烯受體有機光伏電池

導語：研究人員開發出一種溶液化處理的基於非富勒烯受體（NFAs）的有機光伏（OPV）器件，同時實現了高效、低成本和顯著的操作穩定性，該有機光伏電池最長戶外使用壽命可達30年...

標籤：OPV器件電池光伏有機

日期：2021-09-21閱讀全文

國星光電推出第三代半導體系列新產品

●功率模組國星光電第三代半導體功率模組，採用自主創新的架構及雙面高效散熱設計，具有優越的電效能和熱效能，雜散電感低、轉換效率高、輕載損耗小等優勢，其功率密度大，產品體型小，可廣泛應用於各種變頻器、逆變器的工業領域，滿足系統開發人員對空間的嚴...

標籤：LEDSiC功率器件星光

日期：2021-06-18閱讀全文

碳化矽外延發展至今從理論到技術已經取得很大的進展

碳化矽晶體、外延及晶片技術進展碳化矽晶體技術的進展方面，鈕應喜博士表示，SiC產業鏈包括晶體、襯底、外延、器件、模組和系統...

標籤：碳化矽SiC外延英寸器件

日期：2021-06-11閱讀全文

發力GaN快充市場，英飛凌推出全新一站式解決方案

不久前，英飛凌也針對快充充電器市場釋出了基於GaN的全新的整合功率級（IPS）產品—— CoolGaN IPS 系列，近日英飛凌在深圳召開媒體溝通會，來自英飛凌電源與感測系統事業部的專家分享了充電器市場的發展趨勢，並詳細解析了其CoolGa...

標籤：GaN快充充電器英飛凌器件

日期：2021-06-10閱讀全文

ESD電路設計靜電防護器件靜電抑制器

因為靜電抑制器具有體積小（0603、0402）、無極性、反應速度快等諸多優點，現在的設計中使用靜電抑制器作為防護器件的比例越來越多，在使用時應注意以下幾點：1、將該器件儘量放置在需要保護的埠附近...

標籤：靜電介面器件ESD防護

日期：2021-06-03閱讀全文

ESD靜電放電保護電路設計元件應用分析

隨著電子產品整合度的提高，處理器速度、開關速率和介面速率的不斷提升，ESD防護、防雷、浪湧保護、EMI/EMC等電路保護與電磁相容技術在電子系統中的重要性日益凸顯，過流、過壓保護器件選擇和應用、傳導電磁干擾和輻射電磁干擾如何消除，EMC測試...

標籤：保護器件ESD電路元器件

日期：2021-05-23閱讀全文

PPTC在安裝使用過程中應注意哪些問題

當需要使用點焊（電阻焊）和聚合物PTC器件端子進行連線時，為保證PTC器件規定電氣效能點焊點應當控制在晶片邊緣2mm以上，必須保證焊接飛濺不接觸到PTC晶片...

標籤：器件PTC焊接晶片保險絲

日期：2021-05-07閱讀全文

奈米電子技術，將在電子學領域中引起電子技術革命

要實現量子效應，在工藝上要實施製作厚度和寬度都只有幾到幾十奈米的微小導電區域（稱為勢阱），這樣，當電子被關閉在此奈米導電區域中時，才有可能產生量子效應，這也是製作量子器件的關鍵所在...

標籤：奈米量子電子器件勢阱

日期：2021-04-18閱讀全文

電動汽車即將駛入碳化矽時代 第三代半導體“黃金十年”要來了？

但自從特斯拉Tesla推出Model3，採用以24個碳化矽MOSFET為功率模組的逆變器後，碳化矽（SiC）這類新型半導體材料在電動汽車上的應用逐漸進入產業視角...

標籤：碳化矽半導體功率襯底器件

日期：2021-04-15閱讀全文